高纯度乃至超高纯度的金属材料是生产高纯溅射靶材的基础。以半导体芯片用溅射靶材为例,若溅射靶材的杂质含量过高,会导致形成的薄膜无法达到所要求的电性能,并且在溅射过程中易在晶圆上形成微粒,导致电路短路或损坏,严重影响薄膜的性能,进而影响芯片的质量及产量。
海朴精材自主研发的HTHP-CVD提纯技术,突破了传统工艺的瓶颈,生产出来的钨靶坯(CVD W)与传统粉末冶金工艺生产钨靶坯(PM W)对比,生产周期短,但产品纯度、致密度更高,且在实际运用中表现稳定良好。
海朴高纯钨靶坯料具有超高纯度、高致密度、高均匀性,可保障晶圆良品率。
超高纯钨靶材坯料
制造周期短
高纯度:纯度达到8N
高致密度:密度可达99.95%
异型钨制品